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微區(qū)磁光克爾及磁圓二色測試系統(tǒng)-高品質，產(chǎn)品多-卓立漢光
詳細信息| 詢價留言微區(qū)磁光克爾及磁圓二色測試系統(tǒng)
產(chǎn)品介紹：
磁光克爾測量技術主要通過探測光和磁性樣品相互作用后反射光的偏振態(tài)變化來研究材料的磁性，在超快磁光存儲領域有重要應用，磁光克爾測量技術是一種無接觸光學測量技術， 在單原子層微小樣品測量方面獨具優(yōu)勢，實現(xiàn)PPMS和SQUID無法完成的測量。微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)是基于磁光克爾效應的非接觸、非破壞可直接觀測磁性材料和器件中的磁化狀態(tài)的光學顯微成像設備，用于清晰直觀了解樣品內的磁化狀態(tài)空間分布和時間演化。
微區(qū)磁光克爾及磁圓二色測試系統(tǒng)可以根據(jù)用戶的需求升級拓展拉曼，熒光，熒光壽命及二次諧波等模塊，可用于檢測樣品表面磁性和磁疇結構，適用于磁性材料、二維鐵磁材料和自旋電子器件等應用領域。
系統(tǒng)結構：
磁光克爾顯微成像測試系統(tǒng)使用多路鎖相，同步采集，大幅抑制激光功率波動噪聲。配置無磁反射式物鏡或單個非球面鏡成像，極低的法拉第效應。使用光彈調制器，同步獲得MOKE與RMCD數(shù)據(jù)。產(chǎn)品從空間配置與鍍膜參數(shù)嚴格設計及檢測的光學元件組，保偏性能極佳。
主要配置清單：
模塊
參數(shù)
主體架構
主體尺寸：長 × 寬 × 高，約 600 mm × 600 mm × 550 mm;
高承重三維電控底座：步進電機位移行程：行程：X*Y*Z 120*120*40 mm；XY*小步進距離： 0.04 um， Z軸*小步進距離：~0.01 um；*大負載：＞ 10 Kg；
鋁合金整體架構；
光路整體移動：1. 光路移出以更換樣品；2. 大范圍尋找待測區(qū)域。
靠近磁體部分采用無磁設計；顯微成像模塊
尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；
可見光相機：20M pixels，15fps@5K ，50fps@1.8K， Sony 1 英寸CMOS;
物鏡： 適配磁體，無磁反射式物鏡或非球面透鏡；
照明光源： 科勒照明， LED面光源，亮度連續(xù)可調；
成像模塊可電控完全移出光路，且不影響樣品面光斑位置。MOKE&RMCD模塊
外殼尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；
包含所需的外置設備：鎖相放大器；
低噪聲前置放大探頭；
光彈調制器；
斬波器；
克爾角分辨率： ~0.5 mdeg (~ 8.7mrad)；
一次掃場同時獲得RMCD和MOKE數(shù)據(jù)；
電控切換成像與測試；
電控功率；
Mapping功能，配合步進掃描臺，或低溫設備內置壓電臺。Raman532&PL&SHG模塊
外殼尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；
拉曼*低波數(shù)：＜ 80 cm-1；
空間分辨率：300 nm （532 nm激光）；
電控偏振掃描：起偏&檢偏，角度分辨率 0.0144 deg；
電控功率調整；
Mapping功能，配合步進掃描臺，或低溫設備內置壓電臺。532nm窄線寬激光器
MSL-U-532中心波長：532nm+/-0.1
輸出功率：100mw
功率穩(wěn)定性：2%（4 小時 RMS）
M2：＜1.2
線寬：＜0.00001nm
光斑模式：TEM00
噪聲：＜0.5%軟件
MOKE，RMCD，Raman，PL 掃描成像；
偏振掃描；
支持文本代碼輸入，以實現(xiàn)自動化測試流程； -
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