-
zolix閃爍晶體的光譜、壽命、成像、光產(chǎn)額測量
詳細信息| 詢價留言
近年來,鈣鈦礦型閃爍體及鈣鈦礦型X 射線直接探測器被廣泛研究及報道。在發(fā)光閃爍體層面,鈣鈦礦納米晶閃爍體通過溶液即可制得,成本極低,且具備全色彩可調(diào)諧輻射發(fā)光的特點。在直接探測層面,鉛鹵鈣鈦礦材料因其具備較大的原子序數(shù)、高吸收系數(shù)等優(yōu)點,在X 射線直接探測領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出非常優(yōu)異的性能。
卓立漢光能夠提供基于X 射線的穩(wěn)態(tài)發(fā)光光譜,熒光壽命,瞬態(tài)光譜以及X 射線探測成像的相關(guān)測量方案。能夠提供全套涵蓋X 射線激發(fā)源、光譜儀、穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)數(shù)據(jù)處理、成像測量(CMOS 成像,單像素成像,TFT 面陣成像)、輻射劑量表、輻射安全防護等,輻射防護防護滿足國標《低能射線裝置放射防護標準》(GBZ115-2023)。
如下陳述我們幾種測量方案及相關(guān)配置明細
(一) 穩(wěn)態(tài)光譜及熒光壽命采集
• 基于皮秒X 射線和TCSPC 測量原理的方法
• 納秒脈沖X 射線
• 穩(wěn)態(tài)和壽命測量數(shù)據(jù)
(二)X 射線探測成像
• X 射線探測成像光路圖
• X 射線探測成像及脈沖X 射線實現(xiàn)光電流衰減測量
• TFT 集成的面陣X 射線成像
• 成像測量結(jié)果
(三) 技術(shù)參數(shù)
穩(wěn)態(tài)光譜及熒光壽命采集 基于皮秒X 射線和TCSPC 測量原理的方法
包含:皮秒脈沖激光器、光激發(fā)X 射線管、TCSPC 或條紋相機。
由皮秒脈沖激光器激發(fā)“光激發(fā)X 射線管”發(fā)射出X-ray 作用于樣品上,樣品發(fā)射熒光,經(jīng)光譜儀分光之后,由探測器探測光信號,數(shù)據(jù)采集器讀取數(shù)據(jù)。 納秒脈沖X 射線 穩(wěn)態(tài)和壽命測量數(shù)據(jù) X 射線探測成像
X 射線探測成像光路圖TFT 集成的面陣X 射線成像TFT 傳感芯片規(guī)格
TFT 讀取系統(tǒng)規(guī)格
成像測量結(jié)果分辨率指標:TYP39 分辨率卡的X 射線圖像。測試1mm 厚的YAG(Ce) 時,分辨率可以優(yōu)于20lp/mm手機充電頭成像測試密碼狗成像測試技術(shù)參數(shù)穩(wěn)態(tài)X 射線激發(fā)發(fā)光測量
光源
能量:4-50KV,功率:0-50W 連續(xù)可調(diào),靶材:鎢靶,鈹窗厚度 200μm
樣品位置輻射劑量:0-25Sv/h光路
透射和反射雙光路,可切換
光譜范圍
200-900nm(可擴展近紅外)
監(jiān)視器
內(nèi)置監(jiān)視器方便觀察樣品發(fā)光,可拍照
快門
可控屏蔽快門,輻射光源*大功率下,關(guān)閉快門,樣品位置輻射劑量小于10uSv/h
輻射防護
滿足國標《X 射線衍射儀和熒光分析儀衛(wèi)視防護標準》(GBZ115-2023)
樣品支架
配備粉末、液體、薄膜樣品架
成像測量模塊
成像面積:直徑20mm(可定制更大面積:120mm×80mm)
成像耦合光路附件,樣品測試夾具
相機參數(shù):顏色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),
像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗電流:0.001e-/pixel/s,
制冷溫度:-15℃,成像分辨率:優(yōu)于20lp/mm瞬態(tài)X 射線激發(fā)發(fā)光測量
光源
皮秒脈沖X 射線源
納秒脈沖X 射線源*
405nm ps 激光二極管:波長:100Hz-100MHz 可調(diào),
峰值功率:400mW@ 典型值,脈沖寬度:<100ps
光激發(fā)X 射線光管:輻射靈敏度:QE10%(@400nm),靶材:鎢,
操作電壓:40KV,操作電流:10μA@ 平均值,50μA@*大值電壓:150KV
脈沖寬度:50ns
重復頻率:10Hz
平均輸出劑量率:2.4mR/pulse數(shù)據(jù)采集器
TCSPC 計數(shù)器
條紋相機(同時獲得光譜和壽命)
示波器
瞬時飽和計數(shù)率:100Mcps
時間分辨率(ps):16/32/64/128/
256/512/1024/…/33554432
通道數(shù):65535
死時間:< 10ns
支持穩(wěn)態(tài)光譜采集
數(shù)據(jù)接口:USB3.0
*大量程:1.08μs @16ps,
67.1μs@1024ps,
2.19s@33554432ps光譜測量范圍:200-900nm
時間分辨率:<=5ps,
( *小檔位時間范圍+ 光譜儀光路系統(tǒng))
探測器:同步掃描型通用條紋相機ST10
測量時間窗口范圍:500ps-100us
( 十檔可選)
工作模式:靜態(tài)模式,高頻同步模式以及
低頻觸發(fā)模式;
系統(tǒng)光譜分辨率:<0.2nm@1200g/mm
單次成譜范圍:>=100nm@150g/mm
靜態(tài)(穩(wěn)態(tài))光譜采集,
瞬態(tài)條紋光譜成像及熒光壽命曲線采集模擬帶寬:500 MHz
通道數(shù):4+ EXT
實時采樣率:5GSa/s( 交織模式),
2.5GSa/s( 非交織模式)
存儲深度:250Mpts/ch( 交織模式),
125 Mpts/ch( 非交織模式)壽命尺度
500ps-10μs
100ps-100μs
100ns-50ms
X 射線探測成像
方式
CMOS 成像
單像素探測器
TFT 集成的面陣探測器
配置
成像耦合光路附件,樣品測試夾具
相機參數(shù):
顏色:黑白
分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V)
像元尺寸:2.4μm×2.4μm
量子效率:84%@495nm
暗電流:0.001e-/pixel/s
制冷溫度:-15℃XY 二維電動位移臺:
XY5050:
行程:X 軸50mm,Y 軸50mm,重復定
位精度1.5μm,水平負載4Kg;
XY120120:
行程:X 軸120mm,Y 軸120mm,重復
定位精度3μm,水平負載20KgTFT 陣列傳感芯片
(可提供直接型和間接型芯片):
背板尺寸(H×V×T):
44.64×46.64×0.5 mm,
有源區(qū)尺寸(H×V):32×32mm,
分辨率(H×V):64×64,
像素大。500×500μm
TFT 讀出系統(tǒng):
成像規(guī)格:
解析度:64 行×64 列,
數(shù)據(jù)灰階:支持256 灰階顯示,
數(shù)據(jù)通信方式:WIFI 無線通訊,
數(shù)據(jù)顯示載體:手機/ 平板(Android 9.0
以上操作系統(tǒng)、6GB 以上運行內(nèi)存)輻射劑量
測定輻射計量表
探測器:塑料閃爍體, Ø30x15 mm
連續(xù)長期輻射:50 nSv/h ... 10 Sv/h
連續(xù)短期輻射:5 μSv/h ... 10 Sv/h
環(huán)境劑量當量測量范圍:10 nSv ... 10 Sv
連續(xù)的短時輻射響應時間:0.03 s
相對固有誤差:連續(xù)和短期輻射:±15% *大
137 Cs 靈敏度:70 cps/(μSv·h-1 )
劑量率變化0.1 to 1 μSv/h 的反應時間 ( 精度誤差 ≤ ±10%) < 2 s
全
閃爍晶體的光產(chǎn)額(也稱為光輸出或光子產(chǎn)額)是指晶體在受到電離輻射(如γ 射線、X 射線或粒子)激發(fā)后,發(fā)射光子(通常是可見光)的數(shù)量。光產(chǎn)額通常以每單位能量沉積產(chǎn)生的光子數(shù)來表示,單位可以是光子/MeV。
光產(chǎn)額是衡量閃爍晶體性能的重要參數(shù)之一,它是衡量閃爍體材料性能的重要指標之一,也直接關(guān)系到該材料在實際應用中的靈敏度和效率。常見的閃爍晶體包括碘化鈉(NaI),碘化銫(CsI),和氧化鑭摻鈰(LaBr3)等。不同的晶體材料會有不同的光產(chǎn)額,這取決于其發(fā)光機制、能帶結(jié)構(gòu)、以及材料的純度和缺陷等因素。研究閃爍體材料的光產(chǎn)額對于提高其性能、拓展其應用具有重要的意義。
一些常見閃爍晶體的光產(chǎn)額值如下:
碘化鈉(NaI(Tl)):約38,000 photons/MeV
氯化銫(CsI(Tl)):約54,000 photons/MeV
氧化鈰摻雜的氧化鑭(LaBr3):約63,000 photons/MeV
釔鋁石榴石摻雜鈰離子(YAG:Ce):約14,000 photons/MeV
光產(chǎn)額越高,意味著該晶體能夠在相同的能量沉積條件下產(chǎn)生更多的光子,從而在探測器中生成更強的信號,通常也會導致更好的能量分辨率。
卓立漢光提供一整套包含同位素源、屏蔽鉛箱(被測器件及光路)、光電倍增管、高壓電源、閃爍體前置放大器、譜放大器、多道分析儀及測試軟件,實現(xiàn)閃爍體的光產(chǎn)額測量。同位素源
Na-22(或 Cs-137 可選),屏蔽鉛箱(被測器件及光路),充分保證測試人員安全
光電倍增管
光譜范圍:160-650nm,有效面積:46mm 直徑,上升時間:≤ 0.8ns
高壓穩(wěn)壓電源
提供:0-3000V
閃爍體前置放大器 :
上升時間< 60ns
積分非線性≤ ±0.02%
計數(shù)率:250 mV 參考脈沖的增益偏移 <0.25%,同時應用 65,000/ 秒的 200 mV 隨機脈沖的額外計 數(shù)速率,
前置放大器下降時間:信號源阻抗為 1 MΩ,則下降時間常數(shù)為 50 μs
譜放大器
高性能能譜,適合所有類型的輻射探測器(Ge、Si、閃爍體等) 積分非線性(單極輸出): 從 0 到 +10V<0.025%
噪聲:增益 >100 時,等效輸入噪聲 <5.0uV rms;手動模式下,增益> 1000 時,等效輸入噪聲
<4.5uV rms;或者自動模式下,增益 >100 時,等效輸入噪聲 <6.0uV rms
溫度系數(shù)(0 到 50° C)單極輸出:增益為 <+0.005%/'C,雙極輸出:增益為 <+0.07%/'C,直流電 平為 <+30μV/° C
誤差:雙極零交叉誤差在 50:1 動態(tài)范圍內(nèi) <±3 ns
增益范圍:2.5-1500 連接可調(diào),增益是 COARSE(粗調(diào))和 FINE GAIN(微調(diào)增益)的乘積。
單極脈沖形狀:可用開關(guān)為 UNIPOLAR(單極)輸出端選擇近似三角形脈沖形狀或近似高斯脈沖形狀。
配置專用 3kv 高壓電源
2K 通道多道分析儀
ADC: 包括滑動標度線性化和小于 2us 的死區(qū)時間,包括存儲器傳輸 積分非線性 : 在動態(tài)范圍的前 99% 范圍內(nèi)≤士 0.025%。 差分非線性 : 在動態(tài)范圍的前 99% 范圍內(nèi)小于士 1%。 增益不穩(wěn)定性 :< 士 50 ppm/° C
死區(qū)時間校正 : 根據(jù) Gedcke-Hale 方法進行的延長的實時校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的數(shù)據(jù)傳輸速度*高可達 480Mbps
操作電腦
/
光學平臺
尺寸:1500*1200*800mm
臺面 430 材質(zhì),厚度 200mm,帶腳輪。固有頻率:7-18Hz,整體焊接式支架
-
-
產(chǎn)品搜索
留 言
- 聯(lián)系人:王超
- 電 話:010-56370168-696
- 手 機:13810146393
- 傳 真:010-56370118
- 郵 箱:lina-he@zolix.com.cn
- 郵 編:101102
- 地 址:北京市中關(guān)村科技園區(qū)通州園金橋產(chǎn)業(yè)基地環(huán)科中路16號,聯(lián)東U谷中試區(qū)68號B座
- 網(wǎng) 址:
https://bjzolix.cn.goepe.com/
http://www.whhzq.com