■ DSi200/DSi300硅光電探測器
硅光電探測器(Si)
———室溫型探測器,波長范圍:200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:
◆ DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器
◆ DSi300型內裝國產低暗電流硅光電探測器
◆ 推薦配合I-V放大器(型號:ZAMP)使用
兩種型號硅光電探測器的光譜響應度曲線圖:(右) |
|
|
型號列表及主要技術指標:
技術指標\型號名稱 |
DSi200 紫敏硅探測器 |
DSi300 硅探測器 |
|
進口紫外增強型 |
國產低暗電流型 |
有效接收面積(mm2) |
100(Φ11.28) |
100(10×10) |
波長范圍(nm) |
200-1100 |
300-1100 |
峰值波長(nm) |
------- |
800±20 |
峰值波長響應度(A/W) |
0.52 |
>0.4 |
254nm的響應度(A/W) |
0.14(>0.09) |
------- |
響應時間(μs) |
5.9 |
------- |
工作溫度范圍(℃) |
-10~+60 |
------- |
儲存溫度范圍(℃) |
-20~+70 |
------- |
分流電阻RSH(MΩ) |
10(>5) |
------- |
等效噪聲功率NEP (W/√Hz) |
4.5×10-13 |
------- |
暗電流(25℃;-1V) |
------- |
1X10-8—5×10-11 A |
結電容(pf) |
4500 |
<3000(-10V) |
信號輸出模式 |
電流 |
電流 |
輸出信號極性 |
正(P) |
正(P) |
|
|
|
硅光電探測器使用建議:
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前,建議采用I-V跨導放大器ZAMP(Page85做為前級放大并轉換為電壓信號,標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號,但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時,建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時,由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器,故可不再需要另行選配前置放大器。